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Transistor P40N60 GD O Transistor P40N60 GD é um IGBT de alta eficiência, desenvolvido para aplicações em fontes chaveadas, inversores, nobreaks e outros equipamentos de potência. Oferece baixo consumo, alta velocidade de comutação e excelente confiabilidade em operação. Especificações Técnicas: Modelo: P40N60 GD Tipo: IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) Tensão Coletor-Emissor (Vce): 600V Corrente…
Transistor P40N60 GD
O Transistor P40N60 GD é um IGBT de alta eficiência, desenvolvido para aplicações em fontes chaveadas, inversores, nobreaks e outros equipamentos de potência. Oferece baixo consumo, alta velocidade de comutação e excelente confiabilidade em operação.
Especificações Técnicas:
Modelo: P40N60 GD
Tipo: IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
Tensão Coletor-Emissor (Vce): 600V
Corrente Coletor (Ic): 40A
Configuração: N-Channel
Encapsulamento: TO-247
Aplicações: Fontes chaveadas, inversores, UPS, equipamentos industriais
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