BD810 TRANSISTOR BD 810

Descrição

Transistor NPN BD810 (Alta Potência)

O BD810 é montado no encapsulamento TO-220 (ou similar, dependendo do fabricante). Ele é conhecido por sua robustez e por ser o par complementar do BD809. Diferente das séries BD139 ou BD433, este transistor é projetado para lidar com tensões e potências mais elevadas.

Especificações Técnicas Principais:

• Tipo: NPN.

• Encapsulamento: TO-220.

• Corrente de Coletor ($I_C$): Máximo de 10.0 A.

• Corrente de Pico ($I_{CM}$): Até 15.0 A.

• Tensão Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 80V.

• Tensão Coletor-Base ($V_{CBO}$): 80V.

• Ganho de Corrente ($h_{FE}$): Mínimo de 30 (com $I_C = 2A$).

• Potência de Dissipação ($P_{tot}$): 90W (obrigatoriamente com um dissipador de calor robusto).

• Frequência de Transição ($f_T$): > 3.0 MHz.