BUT12AF TRANSISTOR BUT 12 AF

Descrição

Transistor NPN de Potência BUT12AF

Este componente é muito comum em fontes chaveadas (SMPS) de monitores, televisores e equipamentos de automação, operando com tensões de rede retificada.

Especificações Técnicas Principais:

• Tipo: NPN de Silício.

• Tensão Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 450 V (Tensão de sustentação).

• Tensão Coletor-Base ($V_{CES}$): 1000 V.

• Corrente de Coletor ($I_C$): Máximo de 8.0 A.

• Corrente de Pico ($I_{CM}$): Até 16.0 A.

• Potência de Dissipação ($P_{tot}$): 31 W (Versão isolada).

• Tempo de Queda ($t_f$): ~0.6 µs (Garante eficiência em altas frequências).