Descrição

Transistor MOSFET Canal N H10NC60FI (Isolado)

O H10NC60FI é um MOSFET de potência de canal N de alta tensão, projetado para operar com eficiência em fontes chaveadas e conversores. Por possuir o encapsulamento Full-Pak (Isolado), ele elimina a necessidade de isoladores externos ao ser fixado em dissipadores de calor, simplificando a montagem e garantindo maior segurança elétrica ao projeto.

Especificações Técnicas:

Tipo: MOSFET Canal N (Isolado)
Tensão Máxima Dreno-Fonte ( $V_{DSS}$ ): $600\text{ V}$
Corrente de Dreno Contínua ( $I_D$ ): $10\text{ A}$ (a 25°C)
Resistência no Estado Ligado ( $R_{DS(on)}$ ): $0.75\text{ }\Omega$ (típico)
Dissipação de Potência Máxima ( $P_D$ ): $35\text{ W}$ (em encapsulamento isolado)
Encapsulamento: TO-220F (Full-Pak)