H6N100 TRANSISTOR H6N100

Descrição

O H6N100 é um MOSFET de potência de canal N de ultra-alta tensão, projetado para aplicações industriais exigentes que operam em níveis de tensão elevados. É amplamente utilizado em fontes de alimentação chaveadas de alta voltagem, inversores e circuitos de controle que requerem alta robustez contra picos de tensão.

Especificações Técnicas:

• Tipo: MOSFET Canal N

• Tensão Máxima Dreno-Fonte ($V_{DSS}$): $1000\text{ V}$ (1kV)

• Corrente de Dreno Contínua ($I_D$): $6\text{ A}$ (a 25°C)

• Resistência no Estado Ligado ($R_{DS(on)}$): $2.0\text{ }\Omega$ (típico)

• Dissipação de Potência Máxima ($P_D$): $160\text{ W}$

• Encapsulamento: TO-247 (ou TO-3P dependendo do fabricante)