IRF2807 TRANSISTOR IRF 2807

Descrição

O IRF2807 é um MOSFET de potência de Canal N (tecnologia HEXFET) projetado para oferecer uma resistência no estado ligado ($R_{DS(on)}$) extremamente baixa por área de silício. É uma excelente escolha para aplicações de alta eficiência, como conversores DC-DC de alta corrente, sistemas de alimentação ininterrupta (UPS) e automação industrial.

Especificações Técnicas:

• Tipo: MOSFET Canal N

• Tensão Máxima Dreno-Fonte ($V_{DSS}$): $75\text{ V}$

• Corrente de Dreno Contínua ($I_D$): $82\text{ A}$ (a 25°C)

• Resistência no Estado Ligado ($R_{DS(on)}$): $13\text{ m}\Omega$ (máximo)

• Dissipação de Potência Máxima ($P_D$): $230\text{ W}$

• Encapsulamento: TO-220AB