Descrição

O IRF2805 é um MOSFET de potência de Canal N (tecnologia HEXFET) de sétima geração, projetado para oferecer uma resistência no estado ligado ( $R_{DS(on)}$ ) extremamente baixa e uma excelente robustez. É uma escolha de alta performance para aplicações que exigem correntes elevadas e eficiência térmica, como direções elétricas automotivas (EPS), inversores de alta potência e sistemas de proteção de bateria.

Especificações Técnicas:

Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Máxima Dreno-Fonte ( $V_{DSS}$ ): $55\text{ V}$
Corrente de Dreno Contínua ( $I_D$ ): $135\text{ A}$ (limitado pelo silício, $75\text{ A}$ limitado pelo encapsulamento)
Resistência no Estado Ligado ( $R_{DS(on)}$ ): $4.7\text{ m}\Omega$ (máximo)
Dissipação de Potência Máxima ( $P_D$ ): $200\text{ W}$
Encapsulamento: TO-220AB