Descrição

O IRF1404 é um MOSFET de potência de Canal N de ultra-baixa resistência, projetado para aplicações que exigem correntes extremamente elevadas e alta eficiência energética. Utilizando a avançada tecnologia HEXFET, este componente é amplamente aplicado em inversores de potência (DC-AC), conversores DC-DC de alta performance, direções elétricas e sistemas de som automotivo de alta fidelidade.

Especificações Técnicas:

Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Máxima Dreno-Fonte ( $V_{DSS}$ ): $40\text{ V}$
Corrente de Dreno Contínua ( $I_D$ ): $162\text{ A}$ (limitado pelo silício, $75\text{ A}$ limitado pelo encapsulamento)
Resistência no Estado Ligado ( $R_{DS(on)}$ ): $4.0\text{ m}\Omega$ (máximo)
Dissipação de Potência Máxima ( $P_D$ ): $200\text{ W}$
Encapsulamento: TO-220AB