IRF820 TRANSISTOR IRF 820

Descrição

O IRF820 é um MOSFET de potência de Canal N de alta tensão, projetado para aplicações de comutação rápida em fontes de alimentação e conversores DC-DC. Ele é especialmente eficiente em circuitos que operam com tensões elevadas, mas que não exigem correntes tão altas quanto o IRF840, oferecendo uma solução robusta e compacta para reatores eletrônicos e drivers de pequena potência.

Especificações Técnicas:

• Tipo: MOSFET Canal N

• Tensão Máxima Dreno-Fonte ($V_{DSS}$): $500\text{ V}$

• Corrente de Dreno Contínua ($I_D$): $4.0\text{ A}$ (a 25°C)

• Resistência no Estado Ligado ($R_{DS(on)}$): $3.0\text{ }\Omega$ (máximo)

• Dissipação de Potência Máxima ($P_D$): $50\text{ W}$

• Encapsulamento: TO-220AB