IRF730 TRANSISTOR IRF 730

Descrição

O IRF730 é um MOSFET de potência de Canal N de alta tensão, projetado para aplicações que exigem comutação rápida e eficiência em circuitos que operam com tensões elevadas. Utilizando a tecnologia HEXFET®, este componente é uma escolha confiável para fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores DC-DC de média potência, drivers de motores e reatores eletrônicos.

Especificações Técnicas:

• Tipo: MOSFET Canal N

• Tensão Máxima Dreno-Fonte ($V_{DSS}$): $400\text{ V}$

• Corrente de Dreno Contínua ($I_D$): $5.5\text{ A}$ (a 25°C)

• Resistência no Estado Ligado ($R_{DS(on)}$): $1.0\text{ }\Omega$ (máximo)

• Dissipação de Potência Máxima ($P_D$): $74\text{ W}$

• Encapsulamento: TO-220AB