Descrição

Transistor MOSFET Canal N IRF640

O IRF640 é um MOSFET de potência de Canal N versátil, projetado para aplicações que exigem comutação rápida e alta eficiência em níveis de tensão intermediários. Utilizando a tecnologia HEXFET®, este componente é amplamente utilizado em conversores DC-DC de alta velocidade, fontes de alimentação chaveadas (SMPS), amplificadores de áudio de alta potência e drivers de motores.

Especificações Técnicas:

Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Máxima Dreno-Fonte ( $V_{DSS}$ ): $200\text{ V}$
Corrente de Dreno Contínua ( $I_D$ ): $18\text{ A}$ (a 25°C)
Resistência no Estado Ligado ( $R_{DS(on)}$ ): $0.18\text{ }\Omega$ (máximo)
Dissipação de Potência Máxima ( $P_D$ ): $125\text{ W}$
Encapsulamento: TO-220AB