Descrição

O IRFB4227 é um MOSFET de potência de Canal N de altíssima performance, projetado especificamente para aplicações de Áudio Classe D de alta potência. Ele utiliza a tecnologia avançada da International Rectifier (agora Infineon) para oferecer uma carga de gate extremamente baixa ( $Q_g$ ) e uma resistência no estado ligado ( $R_{DS(on)}$ ) reduzida, o que resulta em maior eficiência e melhor fidelidade sonora em amplificadores digitais.

Apesar de ser um componente robusto capaz de lidar com altas correntes, ele mantém o encapsulamento padrão TO-220AB, facilitando a montagem em dissipadores de calor convencionais.

Especificações Técnicas:

Tipo: MOSFET Canal N (Otimizado para Classe D)
Tensão Máxima Dreno-Fonte ( $V_{DSS}$ ): $200\text{ V}$
Corrente de Dreno Contínua ( $I_D$ ): $65\text{ A}$ (a 25°C)
Corrente de Pulso Máxima ( $I_{DM}$ ): $260\text{ A}$
Resistência no Estado Ligado ( $R_{DS(on)}$ ): $19.7\text{ m}\Omega$ (típico) / $24\text{ m}\Omega$ (máximo)
Dissipação de Potência Máxima ( $P_D$ ): $330\text{ W}$
Encapsulamento: TO-220AB