2SB1240 TRANSISTOR 2SB 1240

Descrição

O 2SB1240 é um transistor de silício de polaridade PNP, desenvolvido para aplicações de chaveamento de alta velocidade e amplificação de baixa frequência. É um componente conhecido por sua baixíssima tensão de saturação, o que o torna extremamente eficiente para circuitos de controle de carga, drivers de dispositivos e sistemas de gerenciamento de energia em equipamentos portáteis.

Descrição do Produto

Este transistor se destaca pela sua capacidade de lidar com correntes de até 2 Amperes em um encapsulamento compacto TO-92L, oferecendo um excelente equilíbrio entre tamanho e capacidade de potência. Sua baixa resistência interna minimiza a dissipação de calor indesejada, sendo ideal para circuitos onde a eficiência energética é prioritária. É frequentemente utilizado como chave de potência em circuitos eletrônicos que operam com baterias.

Especificação Técnica

• Polaridade: PNP

• Encapsulamento: TO-92L (Corpo alongado)

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): -35V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): -32V

• Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): -5V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): -2.0A

• Corrente de Pico de Coletor ($I_{CP}$): -3.0A

• Dissipação de Potência ($P_C$): 1.0W

• Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): 120 a 390 (Classificado em faixas Q, R)

• Frequência de Transição ($f_T$): 100 MHz (Típico)

• Tensão de Saturação Coletor-Emissor ($V_{CE(sat)}$): -0.5V (Máximo a 1A)

• Capacitância de Saída ($C_{ob}$): 28 pF (Típico)

• Temperatura de Operação: -55°C a +150°C

• Pinagem (Vista Frontal – Face Plana): 1. Emissor, 2. Coletor, 3. Base