Descrição

O 2SB1342 é um transistor de silício de polaridade PNP do tipo Darlington, projetado para aplicações que exigem alto ganho de corrente e alta capacidade de tensão. Por ser um par Darlington integrado, ele consegue controlar cargas significativas com uma corrente de base muito pequena, sendo ideal para estágios de saída de áudio, drivers de solenoides, motores e reguladores de potência.

Descrição do Produto

Este transistor se destaca pela sua alta robustez e capacidade de operar com tensões de até 100V. O encapsulamento TO-126 (ou similar, como o TO-126ML) facilita a montagem em dissipadores de calor, permitindo que o componente gerencie potências de até 20W de forma estável. Sua configuração Darlington interna inclui resistores de base-emissor e um diodo de proteção, simplificando o design do circuito e economizando espaço na placa.

Especificação Técnica

Polaridade: PNP (Configuração Darlington)
Encapsulamento: TO-126 / TO-126ML
Tensão Máxima Coletor-Base ( $V_{CBO}$ ): -100V
Tensão Máxima Coletor-Emissor ( $V_{CEO}$ ): -100V
Tensão Máxima Emissor-Base ( $V_{EBO}$ ): -7V
Corrente Contínua de Coletor ( $I_C$ ): -4.0A
Corrente de Pico de Coletor ( $I_{CP}$ ): -8.0A
Dissipação de Potência ( $P_C$ ): 1.25W (sem dissipador) / 20W (com dissipador a $T_c = 25°C$ )
Ganho de Corrente DC ( $h_{FE}$ ): 1.000 a 10.000 (Mín/Máx)
Tensão de Saturação Coletor-Emissor ( $V_{CE(sat)}$ ): -1.5V (Típico a 2A)
Frequência de Transição ( $f_T$ ): 50 MHz (Típico)
Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
Pinagem (Vista Frontal – Face Plana): 1. Emissor, 2. Coletor, 3. Base