Descrição

O 2SB1366 é um transistor de silício de polaridade PNP, projetado especificamente para aplicações de amplificação de potência de baixa frequência e drivers de alta fidelidade. Ele é amplamente reconhecido por sua excelente linearidade de ganho e capacidade de operação em tensões moderadas, sendo uma peça comum em amplificadores de áudio de alta qualidade e circuitos reguladores.

Descrição do Produto

Este transistor utiliza o encapsulamento TO-220F (Full Pack), que possui o corpo totalmente isolado por resina. Essa característica é uma grande vantagem em projetos de manutenção e montagem, pois dispensa o uso de isoladores de mica ou silicone ao fixá-lo em dissipadores de calor. O 2SB1366 é frequentemente utilizado como par complementar do transistor NPN 2SD2061, formando estágios de saída estáveis e de baixo ruído para sistemas de som e fontes de alimentação.

Especificação Técnica

Polaridade: PNP
Encapsulamento: TO-220F (Isolado)
Tensão Máxima Coletor-Base ( $V_{CBO}$ ): -60V
Tensão Máxima Coletor-Emissor ( $V_{CEO}$ ): -60V
Tensão Máxima Emissor-Base ( $V_{EBO}$ ): -7V
Corrente Contínua de Coletor ( $I_C$ ): -2.0A
Corrente de Pico de Coletor ( $I_{CP}$ ): -3.0A
Dissipação de Potência ( $P_C$ ): 2.0W (sem dissipador) / 25W (com dissipador a $T_c = 25°C$ )
Ganho de Corrente DC ( $h_{FE}$ ): 100 a 320
Frequência de Transição ( $f_T$ ): 20 MHz (Típico)
Tensão de Saturação Coletor-Emissor ( $V_{CE(sat)}$ ): -1.0V (Máximo a 1.5A)
Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
Pinagem (Vista Frontal – Face Plana): 1. Base, 2. Coletor, 3. Emissor