Descrição

O 2SB1375 é um transistor de silício de polaridade PNP, projetado especificamente para aplicações de amplificação de áudio de baixa frequência e circuitos de chaveamento de potência. Ele é amplamente reconhecido por sua robustez e excelente linearidade, sendo uma peça essencial em estágios de saída de amplificadores de som e sistemas de controle de energia.

Descrição do Produto

Este componente utiliza o encapsulamento TO-220F (conhecido como “Full Pack”), que possui o corpo totalmente revestido em resina isolante. Esta característica facilita significativamente a montagem, pois permite que o transistor seja parafusado diretamente em dissipadores de calor sem a necessidade de isoladores de mica ou buchas plásticas. O 2SB1375 é frequentemente utilizado como par complementar do transistor NPN 2SD2012, garantindo simetria e fidelidade em circuitos de áudio “push-pull”.

Especificação Técnica

Polaridade: PNP
Encapsulamento: TO-220F (Isolado)
Tensão Máxima Coletor-Base ( $V_{CBO}$ ): -60V
Tensão Máxima Coletor-Emissor ( $V_{CEO}$ ): -60V
Tensão Máxima Emissor-Base ( $V_{EBO}$ ): -7V
Corrente Contínua de Coletor ( $I_C$ ): -3.0A
Corrente de Pico de Coletor ( $I_{CP}$ ): -5.0A
Dissipação de Potência ( $P_C$ ): 2.0W (sem dissipador) / 25W (com dissipador a $T_c = 25°C$ )
Ganho de Corrente DC ( $h_{FE}$ ): 100 a 320
Frequência de Transição ( $f_T$ ): 9 MHz (Típico)
Tensão de Saturação Coletor-Emissor ( $V_{CE(sat)}$ ): -1.0V (Máximo a 2.0A)
Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
Pinagem (Vista Frontal – Face Plana): 1. Base, 2. Coletor, 3. Emissor