2SB1560 TRANSISTOR 2SB1560

Descrição

O 2SB1560 é um transistor de silício de polaridade PNP com configuração Darlington, projetado para aplicações de alta potência e amplificação de áudio de alta fidelidade. Por ser um par Darlington integrado, ele oferece um ganho de corrente extremamente elevado, permitindo o controle de grandes cargas a partir de sinais de entrada muito baixos.

Descrição do Produto

Este transistor é amplamente utilizado em estágios de saída de amplificadores de potência, sistemas de som profissional e drivers de motores de corrente contínua. Ele utiliza o encapsulamento TO-3P (ou similar, como o MT-100), ideal para dissipar grandes quantidades de calor em operações pesadas. O 2SB1560 possui um diodo de proteção interno entre o emissor e o coletor, além de resistores integrados, o que aumenta a estabilidade do circuito e reduz a necessidade de componentes externos na placa. É o par complementar ideal para o transistor NPN 2SD2390.

Especificação Técnica

• Polaridade: PNP (Configuração Darlington)

• Encapsulamento: TO-3P / MT-100

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): -160V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): -150V

• Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): -5V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): -10.0A

• Corrente de Base ($I_B$): -1.0A

• Dissipação de Potência ($P_C$): 100W (com dissipador a $T_c = 25°C$)

• Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): 5.000 a 30.000 (Mín/Máx)

• Frequência de Transição ($f_T$): 55 MHz (Típico)

• Tensão de Saturação Coletor-Emissor ($V_{CE(sat)}$): -2.5V (Máximo a 7A)

• Temperatura de Operação: -55°C a +150°C

• Pinagem (Vista Frontal – Face Plana): 1. Base, 2. Coletor, 3. Emissor