Descrição

O 2SB1015 é um transistor de silício de polaridade PNP, projetado principalmente para aplicações de amplificação de potência de baixa frequência e circuitos de chaveamento. Ele é muito utilizado em estágios de saída de áudio, reguladores de tensão e drivers de sistemas eletrônicos que operam com correntes de até 2 Amperes.

Descrição do Produto

Este transistor utiliza o encapsulamento TO-220F (Full Pack), que é totalmente revestido em resina isolante. Esta característica é extremamente vantajosa para técnicos e montadores, pois permite fixar o componente diretamente ao dissipador de calor sem a necessidade de isoladores de mica ou buchas plásticas, garantindo uma montagem mais limpa e segura. O 2SB1015 é conhecido por sua boa linearidade e é frequentemente pareado com seu complementar NPN, o 2SD1406, em amplificadores de som.

Especificação Técnica

Polaridade: PNP
Encapsulamento: TO-220F (Isolado)
Tensão Máxima Coletor-Base ( $V_{CBO}$ ): -60V
Tensão Máxima Coletor-Emissor ( $V_{CEO}$ ): -60V
Tensão Máxima Emissor-Base ( $V_{EBO}$ ): -7V
Corrente Contínua de Coletor ( $I_C$ ): -2.0A
Corrente de Pico de Coletor ( $I_{CP}$ ): -3.0A
Dissipação de Potência ( $P_C$ ): 2.0W (sem dissipador) / 25W (com dissipador a $T_c = 25°C$ )
Ganho de Corrente DC ( $h_{FE}$ ): 60 a 200 (Classificado em faixas O, Y)
Frequência de Transição ( $f_T$ ): 3.0 MHz (Típico)
Tensão de Saturação Coletor-Emissor ( $V_{CE(sat)}$ ): -1.0V (Máximo a 1.5A)
Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
Pinagem (Vista Frontal): 1. Base, 2. Coletor, 3. Emissor