2SB863 TRANSISTOR 2SB 863

Descrição

O 2SB863 é um transistor de silício de polaridade PNP, projetado para aplicações de amplificação de potência de áudio e drivers de alta fidelidade. Ele é amplamente utilizado em estágios de saída de amplificadores de som e sistemas de controle de potência, sendo valorizado por sua capacidade de operar com tensões e correntes elevadas de forma estável.

Descrição do Produto

Este componente utiliza o encapsulamento TO-3P (também conhecido como TO-247), que possui uma ampla área de contato metálica para fixação em dissipadores de calor, permitindo gerenciar potências de até 100W. O 2SB863 é conhecido por sua excelente linearidade de ganho, o que garante uma reprodução de áudio com baixa distorção. Ele é frequentemente utilizado como o par complementar do transistor NPN 2SD1148 em configurações de amplificadores de classe AB.

Especificação Técnica

• Polaridade: PNP

• Encapsulamento: TO-3P / TO-247

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): -140V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): -140V

• Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): -5V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): -10.0A

• Corrente de Base ($I_B$): -2.0A

• Dissipação de Potência ($P_C$): 100W (com dissipador a $T_c = 25°C$)

• Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): 60 a 200

• Frequência de Transição ($f_T$): 15 MHz (Típico)

• Tensão de Saturação Coletor-Emissor ($V_{CE(sat)}$): -2.0V (Máximo a 7A)

• Temperatura de Operação: -55°C a +150°C

• Pinagem (Vista Frontal): 1. Base, 2. Coletor, 3. Emissor