Descrição

O 2SB824 é um transistor de silício de polaridade PNP, projetado para aplicações de chaveamento de alta velocidade e amplificação de potência. Ele é reconhecido por sua excelente eficiência em circuitos de baixa tensão e alta corrente, sendo muito utilizado em drivers de motores, conversores DC-DC e sistemas de controle de carga.

Descrição do Produto

Este componente possui o encapsulamento TO-126, o que o torna ideal para projetos que exigem um transistor de potência média em um formato compacto e fácil de montar em dissipadores de calor. O 2SB824 destaca-se por sua baixa tensão de saturação coletor-emissor, o que reduz significativamente as perdas de energia e o aquecimento durante a operação. É frequentemente utilizado como par complementar do transistor NPN 2SD1060.

Especificação Técnica

Polaridade: PNP
Encapsulamento: TO-126
Tensão Máxima Coletor-Base ( $V_{CBO}$ ): -60V
Tensão Máxima Coletor-Emissor ( $V_{CEO}$ ): -50V
Tensão Máxima Emissor-Base ( $V_{EBO}$ ): -5V
Corrente Contínua de Coletor ( $I_C$ ): -5.0A
Corrente de Pico de Coletor ( $I_{CP}$ ): -8.0A
Dissipação de Potência ( $P_C$ ): 1.0W (sem dissipador) / 30W (com dissipador a $T_c = 25°C$ )
Ganho de Corrente DC ( $h_{FE}$ ): 70 a 280 (Classificado em faixas Q, R, S)
Frequência de Transição ( $f_T$ ): 60 MHz (Típico)
Tensão de Saturação Coletor-Emissor ( $V_{CE(sat)}$ ): -0.4V (Máximo a 3A)
Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
Pinagem (Vista Frontal – Face Plana): 1. Emissor, 2. Coletor, 3. Base