2SB778 TRANSISTOR 2SB 778 – ISOLADO

Descrição

O 2SB778 é um transistor de silício de polaridade PNP, projetado para aplicações de amplificação de potência de áudio e drivers de alta fidelidade. A versão ISOLADA refere-se ao encapsulamento que permite a montagem direta em dissipadores sem a necessidade de acessórios isolantes externos.

Descrição do Produto

Este transistor utiliza o encapsulamento TO-3PF (ou TO-3P Isolado), que possui o corpo totalmente revestido em resina. Essa característica facilita o processo de montagem em larga escala ou manutenções, pois elimina o risco de curto-circuito com o dissipador de calor. O 2SB778 é reconhecido por sua excelente linearidade de ganho de corrente e alta robustez, sendo o par complementar ideal para o transistor NPN 2SD998. É amplamente encontrado em amplificadores de som automotivo e sistemas de áudio domésticos de alta potência.

Especificação Técnica

• Polaridade: PNP

• Encapsulamento: TO-3PF (Totalmente Isolado)

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): -120V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): -120V

• Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): -5V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): -10.0A

• Corrente de Base ($I_B$): -1.0A

• Dissipação de Potência ($P_C$): 80W (com dissipador a $T_c = 25°C$)

• Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): 55 a 160 (Classificado em faixas R, O)

• Frequência de Transição ($f_T$): 10 MHz (Típico)

• Tensão de Saturação Coletor-Emissor ($V_{CE(sat)}$): -2.0V (Máximo a 7A)

• Temperatura de Operação: -55°C a +150°C

• Pinagem (Vista Frontal): 1. Base, 2. Coletor, 3. Emissor