Descrição

O 2SB647 é um transistor de silício de polaridade PNP, projetado especificamente para aplicações de amplificação de alta tensão e estágios de driver em circuitos de áudio e vídeo. Ele é muito comum em equipamentos eletrônicos que exigem um componente capaz de suportar tensões elevadas de coletor, mantendo um tamanho compacto.

Descrição do Produto

Este transistor utiliza o encapsulamento TO-92MOD (uma versão levemente maior e mais robusta que o TO-92 padrão), o que permite uma melhor dissipação de calor em circuitos de sinal e drivers. O 2SB647 é frequentemente utilizado como par complementar do transistor NPN 2SD667. Devido à sua alta tensão de ruptura ( $V_{CEO}$ de 80V a 120V, dependendo da versão), ele é ideal para circuitos de deflexão vertical em monitores antigos, fontes chaveadas e estágios de pré-amplificação.

Especificação Técnica

Polaridade: PNP
Encapsulamento: TO-92MOD
Tensão Máxima Coletor-Base ( $V_{CBO}$ ): -120V
Tensão Máxima Coletor-Emissor ( $V_{CEO}$ ): -80V (Algumas versões chegam a -120V)
Tensão Máxima Emissor-Base ( $V_{EBO}$ ): -5V
Corrente Contínua de Coletor ( $I_C$ ): -1.0A
Corrente de Pico de Coletor ( $I_{CP}$ ): -2.0A
Dissipação de Potência ( $P_C$ ): 900mW (0.9W)
Ganho de Corrente DC ( $h_{FE}$ ): 60 a 320 (Classificado em faixas B, C, D)
Frequência de Transição ( $f_T$ ): 140 MHz (Típico)
Capacitância de Saída ( $C_{ob}$ ): 27 pF (Típico)
Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
Pinagem (Vista Frontal – Face Plana): 1. Emissor, 2. Coletor, 3. Base