Descrição

Descrição do Produto

O 2SD2025 é um transistor NPN de silício de média potência, projetado para aplicações que exigem alta fidelidade de sinal e comutação eficiente. É amplamente utilizado em estágios de saída de áudio, drivers de relés e circuitos de controle de carga. Sua tecnologia de fabricação garante um ganho de corrente estável e uma baixa tensão de saturação, o que resulta em menor aquecimento e maior eficiência energética em seus projetos eletrônicos.

Especificações Técnicas

Tipo de Transistor: NPN (Silício)
Encapsulamento: TO-220
Tensão Máxima Coletor-Base ( $V_{CBO}$ ): 50V
Tensão Máxima Coletor-Emissor ( $V_{CEO}$ ): 50V
Tensão Máxima Emissor-Base ( $V_{EBO}$ ): 5V
Corrente Contínua de Coletor ( $I_C$ ): 2A
Corrente de Coletor Pulsada ( $I_{CP}$ ): 3A
Dissipação de Potência Total ( $P_C$ ): 25W (com dissipador adequado)
Ganho de Corrente DC ( $h_{FE}$ ): 100 a 500 (Alta sensibilidade)
Frequência de Transição ( $f_T$ ): 100 MHz (Típica)
Tensão de Saturação Coletor-Emissor ( $V_{CE(sat)}$ ): 1.0V (máx) em $I_C = 1A$
Temperatura de Operação (Junção): Até 150°C