2SD600 TRANSISTOR 2SD 600

Descrição

Transistor 2SD600, tipo NPN, de silício, utilizado principalmente em circuitos de amplificação de baixa frequência e aplicações de potência moderada. Possui encapsulamento TO-126 e é indicado para estágios de saída, acionamento e amplificação em equipamentos eletrônicos.

Especificação técnica

• Código: 2SD600
• Tipo: NPN – transistor bipolar
• Material: Silício
• Encapsulamento: TO-126
• Tensão coletor-emissor (VCEO): 100 V
• Tensão coletor-base (VCBO): 100 V
• Tensão emissor-base (VEBO): 5 V
• Corrente máxima do coletor (IC): 1 A
• Dissipação de potência: até 8 W (com temperatura de encapsulamento de 25 °C)
• Temperatura máxima da junção: 150 °C
• Ganho de corrente (hFE): 60 a 320
• Tensão de saturação (VCE(sat)): máx. 0,4 V
• Frequência de transição (fT): aproximadamente 130 MHz
• Aplicação: amplificação de áudio, estágios de saída e circuitos eletrônicos de potência.