Descrição

Transistor SGSIF444, tipo NPN, de potência e alta tensão, desenvolvido para aplicações de chaveamento de alta velocidade, principalmente em fontes chaveadas (SMPS) e estágios de deflexão horizontal de televisores e monitores CRT. É fabricado pela SGS-Thomson (atual STMicroelectronics) e utiliza tecnologia de emissor oco para proporcionar alta velocidade de comutação e baixa necessidade de acionamento da base.

Especificação técnica

Código: SGSIF444
Tipo: NPN – transistor bipolar de potência
Tecnologia: Multiepitaxial Mesa / Hollow Emitter
Tensão coletor-emissor (VCEO): 600 V
Tensão coletor-emissor (VCES): 1200 V
Tensão emissor-base (VEBO): 7 V
Corrente máxima do coletor (IC): 7 A
Corrente de pico do coletor (ICM): 12 A
Corrente máxima de base (IB): 5 A
Dissipação de potência: 50 W
Temperatura máxima da junção: 150 °C
VCE(sat): aproximadamente 1,5 V
Encapsulamento: ISOWATT218
Aplicação: fontes chaveadas, TV, monitores CRT e circuitos de deflexão horizontal.