STX112 TRANSISTOR STX 112

Descrição

Descrição

Transistor STX112, tipo NPN Darlington de potência, de silício, fabricado pela STMicroelectronics. Possui configuração Darlington monolítica e diodo antiparalelo integrado entre coletor e emissor, sendo indicado para aplicações lineares e de chaveamento em equipamentos industriais.

Especificação técnica

• Código: STX112
• Tipo: NPN – Darlington de potência
• Material: Silício
• Configuração: Darlington monolítico
• Encapsulamento: TO-92
• Tensão coletor-emissor (VCEO): 100 V
• Tensão coletor-base (VCBO): 100 V
• Tensão emissor-base (VEBO): 5 V
• Corrente máxima do coletor (IC): 2 A
• Corrente de pico do coletor (ICM): 4 A
• Corrente máxima de base (IB): 50 mA
• Dissipação de potência: 1,2 W
• Ganho de corrente (hFE): mínimo 500
• VCE(sat): máx. 2,5 V
• VBE(on): máx. 2,8 V
• Temperatura máxima da junção: 150 °C
• Diodo antiparalelo: integrado
• Aplicação: equipamentos industriais, circuitos lineares e circuitos de chaveamento.