O 2SD1111 é um transistor de silício NPN de alta tensão, projetado especificamente para circuitos de saída horizontal em televisores coloridos e monitores CRT. Ele é construído para lidar com as altas tensões de retorno (flyback) e as rápidas velocidades de comutação exigidas por esses sistemas.

Além de sua aplicação em vídeo, ele é extremamente eficiente em fontes de alimentação chaveadas e reguladores que operam em ambientes de alta voltagem.

Especificações Principais:

• Tipo: NPN

• Encapsulamento: TO-3 (Metálico) ou TO-218 (dependendo da versão, garantindo excelente dissipação térmica)

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 600V

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 1500V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): 5A

• Corrente de Pico ($I_{CP}$): 10A

• Dissipação de Potência ($P_C$): 50W (com uso de dissipador)

• Ganho de Corrente ($h_{FE}$): Mínimo de 8

• Tempo de Queda (Fall Time): Muito rápido, cerca de 1.0µs (essencial para evitar superaquecimento no chaveamento)

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O 2SD1148 é um transistor de silício NPN de alta fidelidade, desenvolvido especialmente para estágios de saída de áudio de alta potência e aplicações de uso geral. Ele é reconhecido por sua excelente linearidade e robustez, sendo frequentemente utilizado em pares complementares (geralmente com o 2SB863) para entregar som limpo e potente em amplificadores residenciais e profissionais.

Sua construção permite uma dissipação térmica eficiente, garantindo estabilidade mesmo em regimes de trabalho intensos.

Especificações Principais:

• Tipo: NPN

• Encapsulamento: TO-3P / TO-247 (Grande, para máxima dissipação)

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 140V

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 140V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): 10A

• Corrente de Base ($I_B$): 3A

• Dissipação de Potência ($P_C$): 100W (com dissipador adequado)

• Ganho de Corrente ($h_{FE}$): 60 a 200 (proporcionando ótima amplificação)

• Frequência de Transição ($f_T$): 15 MHz

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O 2SD1207 é um transistor NPN de alta performance, projetado para aplicações que exigem alta velocidade de comutação e excelente fidelidade em amplificação de baixa frequência. É amplamente utilizado em drivers de dispositivos, conversores DC-DC e circuitos de controle que necessitam de uma resposta rápida e eficiente.

Seu design compacto e alta capacidade de corrente em relação ao tamanho o tornam uma peça essencial para reparos em eletrônicos modernos e montagens de precisão.

Especificações Principais:

• Tipo: NPN

• Encapsulamento: Tipo E-Line / TO-92MOD (Compacto e eficiente)

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 50V

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 60V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): 2A

• Corrente de Pico ($I_{CP}$): 4A

• Dissipação de Potência ($P_C$): 900mW (até 1W em condições otimizadas)

• Ganho de Corrente ($h_{FE}$): 100 a 560 (excelente resposta de sinal)

• Frequência de Transição ($f_T$): 150 MHz (Alta velocidade)

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O 2SD1266 é um transistor de silício NPN de média potência, projetado principalmente para aplicações de amplificação de áudio e reguladores de tensão. Ele é muito valorizado por sua excelente linearidade de ganho e robustez, sendo um componente comum em estágios de saída de amplificadores e circuitos de controle industrial.

É a solução ideal para quem busca um componente confiável para substituição ou novos projetos que exigem estabilidade térmica e eficiência.

Especificações Principais:

• Tipo: NPN

• Encapsulamento: TO-220 (Fácil montagem em dissipadores)

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 60V

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 60V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): 4A

• Corrente de Pico ($I_{CP}$): 8A

• Dissipação de Potência ($P_C$): 30W (com dissipador adequado)

• Ganho de Corrente ($h_{FE}$): 40 a 320 (dependendo da versão/sufixo)

• Frequência de Transição ($f_T$): 5 MHz

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O 2SD1402 é um transistor de silício de polaridade NPN, projetado especialmente para aplicações de saída horizontal em monitores e televisores de alta definição, além de fontes chaveadas. Ele se destaca pela sua excepcional resistência a altas tensões e velocidade de comutação.

Este componente é a escolha ideal para reparos técnicos e projetos que exigem estabilidade em circuitos de deflexão e sistemas que operam com grandes cargas de tensão.

Especificações Técnicas

• Tipo de Transistor: NPN

• Encapsulamento: TO-3 (Metálico, ideal para alta dissipação de calor)

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 1500V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 800V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): 5A

• Corrente de Pico de Coletor ($I_{CP}$): 10A

• Dissipação de Potência Total ($P_C$): 80W (com dissipador apropriado)

• Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): Mínimo de 8

• Frequência de Transição ($f_T$): 3 MHz

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O Transistor 2SD1413 é um componente de alta potência projetado para circuitos que exigem grande amplificação de corrente. Por ser do tipo Darlington, ele combina dois transistores em uma única peça, permitindo que um sinal pequeno controle cargas pesadas com máxima eficiência. É amplamente utilizado em drivers de motores, acionamento de relés e sistemas de automação que buscam robustez e confiabilidade.

Especificações Técnicas:

• Polaridade: NPN Darlington (Alta Sensibilidade)

• Corrente Máxima de Coletor ($I_C$): 6A

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 100V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 100V

• Ganho de Corrente (hFE): Mínimo de 2.000 (Alto Ganho)

• Potência Máxima de Dissipação ($P_C$): 25W

• Encapsulamento: TO-220 (Padrão para fixação em dissipadores)

• Proteção Interna: Inclui diodo de amortecimento (damper) integrado

• Aplicações Comuns: Controle de motores DC, reguladores de voltagem, fontes chaveadas e amplificadores de potência.

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O 2SD1554 é um transistor NPN de silício de alta voltagem, desenvolvido especificamente para o estágio de deflexão horizontal em aparelhos de TV colorida e monitores de vídeo. Este componente já vem com um Diodo Damper integrado e um resistor interno entre base e emissor, o que garante maior proteção contra picos de tensão reversa e simplifica o layout da placa de circuito. É conhecido por sua durabilidade e excelente desempenho em regimes de alta frequência de varredura.

Especificações Técnicas

• Tipo de Transistor: NPN com Diodo Damper integrado

• Encapsulamento: TO-3PN (ou TO-3P)

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 1500V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 600V

• Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): 5V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): 3.5A

• Corrente de Coletor Pulsada ($I_{CP}$): 10A

• Dissipação de Potência Total ($P_C$): 40W (com dissipador a $T_c = 25°C$)

• Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): 8 a 25

• Tensão de Saturação Coletor-Emissor ($V_{CE(sat)}$): 5.0V (máx) em $I_C = 3A$

• Frequência de Transição ($f_T$): 3 MHz (Típica)

• Temperatura de Operação (Junção): Até 150°C

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O 2SD1555 é um transistor NPN de silício de alta voltagem, projetado especificamente para o estágio de deflexão horizontal em receptores de televisão colorida e monitores de vídeo. Ele possui um Diodo Damper integrado e um resistor interno entre base e emissor, o que simplifica o design do circuito e oferece uma proteção extra contra picos de tensão gerados pelo flyback. Sua robustez e confiabilidade o tornam a escolha padrão para técnicos em manutenção de equipamentos de imagem.

Especificações Técnicas

• Tipo de Transistor: NPN com Diodo Damper integrado

• Encapsulamento: TO-3PN (ou TO-3P)

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 1500V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 600V

• Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): 5V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): 5A

• Corrente de Coletor Pulsada ($I_{CP}$): 10A

• Dissipação de Potência Total ($P_C$): 50W (com dissipador a $T_c = 25°C$)

• Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): 8 a 25

• Tensão de Saturação Coletor-Emissor ($V_{CE(sat)}$): 5.0V (máx) em $I_C = 4A$

• Frequência de Transição ($f_T$): 3 MHz (Típica)

• Temperatura de Operação (Junção): Até 150°C

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O 2SD1651 é um transistor NPN de silício de alta tensão, especializado para o circuito de deflexão horizontal em monitores e receptores de TV. Este componente possui um Diodo Damper integrado, que protege o transistor contra picos de tensão reversa, além de um resistor interno entre base e emissor. Sua construção permite um chaveamento rápido e estável sob altas tensões, sendo essencial para garantir a geometria correta da imagem e a segurança do transformador flyback.

Especificações Técnicas

• Tipo de Transistor: NPN com Diodo Damper integrado

• Encapsulamento: TO-3PN (ou TO-3P)

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 1500V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 800V

• Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): 6V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): 5A

• Corrente de Coletor Pulsada ($I_{CP}$): 15A

• Dissipação de Potência Total ($P_C$): 60W (com dissipador a $T_c = 25°C$)

• Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): 8 a 25

• Tensão de Saturação Coletor-Emissor ($V_{CE(sat)}$): 5.0V (máx) em $I_C = 4A$

• Frequência de Transição ($f_T$): 3 MHz (Típica)

• Temperatura de Operação: Até 150°C

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O 2SD1877 é um transistor NPN de silício de alta tensão, projetado especificamente para circuitos de deflexão horizontal em TVs e monitores. Este componente possui um Diodo Damper integrado e um resistor interno entre base e emissor, o que simplifica o design do circuito e oferece proteção contra picos de tensão reversa. Por ser um produto Sanyo Original, ele garante o rigoroso cumprimento das especificações de tempo de subida e queda, evitando o superaquecimento comum em componentes genéricos e assegurando a máxima nitidez na imagem do monitor.

Especificações Técnicas

• Tipo de Transistor: NPN com Diodo Damper integrado

• Encapsulamento: TO-3ML (Isolado, de alta performance térmica)

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 1500V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 800V

• Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): 6V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): 4A

• Corrente de Coletor Pulsada ($I_{CP}$): 12A

• Dissipação de Potência Total ($P_C$): 50W (com dissipador a $T_c = 25°C$)

• Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): 8 a 25

• Tensão de Saturação Coletor-Emissor ($V_{CE(sat)}$): 5.0V (máx) em $I_C = 3A$

• Frequência de Transição ($f_T$): 3 MHz (Típica)

• Temperatura de Operação: Até 150°C

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