BU508D TRANSISTOR BU 508 D

Descrição

Transistor NPN de Alta Tensão BU508D

A letra “D” no final indica que ele possui o Diodo Damper interno, mas, por não ter o “F”, o seu encapsulamento original (geralmente o TO-3 metálico ou o TO-218/TO-247 de plástico não isolado) requer cuidados extras na montagem.

Especificações Técnicas Principais:

• Tipo: NPN com diodo damper e resistor de base-emissor integrados.

• Encapsulamento: TO-218 ou TO-247 (plástico com aba metálica exposta).

• Corrente de Coletor ($I_C$): Máximo de 8.0 A.

• Tensão Coletor-Emissor ($V_{CES}$): 1500V.

• Tensão Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 700V.

• Potência de Dissipação ($P_{tot}$): Até 125W (muito superior à versão isolada “DF”, desde que bem refrigerado).

• Frequência: Projetado para varredura horizontal (15.625 Hz a 31 kHz ou mais).