Descrição

O IRF630 é um MOSFET de potência de Canal N (tecnologia HEXFET) projetado para aplicações que exigem comutação de alta velocidade e eficiência em níveis de tensão de até $200\text{ V}$ . Devido à sua baixa carga de gate e robustez, ele é amplamente utilizado em fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores DC-DC de média potência e drivers de motores.

Especificações Técnicas:

Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Máxima Dreno-Fonte ( $V_{DSS}$ ): $200\text{ V}$
Corrente de Dreno Contínua ( $I_D$ ): $9.0\text{ A}$ (a 25°C)
Resistência no Estado Ligado ( $R_{DS(on)}$ ): $0.40\text{ }\Omega$ (máximo)
Dissipação de Potência Máxima ( $P_D$ ): $74\text{ W}$
Encapsulamento: TO-220AB