IRF630 TRANSISTOR IRF 630

Descrição

O IRF630 é um MOSFET de potência de Canal N (tecnologia HEXFET) projetado para aplicações que exigem comutação de alta velocidade e eficiência em níveis de tensão de até $200\text{ V}$. Devido à sua baixa carga de gate e robustez, ele é amplamente utilizado em fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores DC-DC de média potência e drivers de motores.

Especificações Técnicas:

• Tipo: MOSFET Canal N

• Tensão Máxima Dreno-Fonte ($V_{DSS}$): $200\text{ V}$

• Corrente de Dreno Contínua ($I_D$): $9.0\text{ A}$ (a 25°C)

• Resistência no Estado Ligado ($R_{DS(on)}$): $0.40\text{ }\Omega$ (máximo)

• Dissipação de Potência Máxima ($P_D$): $74\text{ W}$

• Encapsulamento: TO-220AB