Descrição

O IRFB3306 é um MOSFET de potência de Canal N de alto desempenho, utilizando a tecnologia HEXFET® de sétima geração. Ele foi projetado para oferecer uma resistência no estado ligado ( $R_{DS(on)}$ ) extremamente baixa e uma robustez superior, sendo ideal para aplicações que exigem alta eficiência e grande capacidade de corrente, como retificação síncrona, inversores de alta potência e sistemas de gerenciamento de bateria.

Especificações Técnicas:

Tipo: MOSFET Canal N (HEXFET®)
Tensão Máxima Dreno-Fonte ( $V_{DSS}$ ): $60\text{ V}$
Corrente de Dreno Contínua ( $I_D$ ): $160\text{ A}$ (limitado pelo silício, $75\text{ A}$ limitado pelo encapsulamento)
Resistência no Estado Ligado ( $R_{DS(on)}$ ): $3.3\text{ m}\Omega$ (típico) / $4.2\text{ m}\Omega$ (máximo)
Dissipação de Potência Máxima ( $P_D$ ): $230\text{ W}$
Carga de Gate Total ( $Q_g$ ): $85\text{ nC}$ (típico)
Encapsulamento: TO-220AB