IRFB3306 TRANSISTOR IRFB3306

Descrição

O IRFB3306 é um MOSFET de potência de Canal N de alto desempenho, utilizando a tecnologia HEXFET® de sétima geração. Ele foi projetado para oferecer uma resistência no estado ligado ($R_{DS(on)}$) extremamente baixa e uma robustez superior, sendo ideal para aplicações que exigem alta eficiência e grande capacidade de corrente, como retificação síncrona, inversores de alta potência e sistemas de gerenciamento de bateria.

Especificações Técnicas:

• Tipo: MOSFET Canal N (HEXFET®)

• Tensão Máxima Dreno-Fonte ($V_{DSS}$): $60\text{ V}$

• Corrente de Dreno Contínua ($I_D$): $160\text{ A}$ (limitado pelo silício, $75\text{ A}$ limitado pelo encapsulamento)

• Resistência no Estado Ligado ($R_{DS(on)}$): $3.3\text{ m}\Omega$ (típico) / $4.2\text{ m}\Omega$ (máximo)

• Dissipação de Potência Máxima ($P_D$): $230\text{ W}$

• Carga de Gate Total ($Q_g$): $85\text{ nC}$ (típico)

• Encapsulamento: TO-220AB