Descrição

O 2N7000 é um transistor de efeito de campo de óxido metálico semicondutor (MOSFET) de canal N, modo enriquecimento. Diferente dos transistores bipolares que você listou anteriormente, o 2N7000 é controlado por tensão no Gate, e não por corrente. Ele é extremamente popular devido à sua alta impedância de entrada e rápida velocidade de comutação.

É amplamente utilizado para converter níveis de lógica (ex: interfacear microcontroladores com periféricos), acionar relés, LEDs de potência e em circuitos de chaveamento de baixa corrente. Por ser um componente “robusto” e de baixo custo, é um item essencial em qualquer estoque de componentes eletrônicos.

Especificações Técnicas:

Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Dreno-Fonte ( $V_{DSS}$ ): $60\text{ V}$
Tensão Gate-Fonte ( $V_{GSS}$ ): $\pm 20\text{ V}$
Corrente de Dreno Contínua ( $I_D$ ): $200\text{ mA}$ (Máximo)
Corrente de Dreno Pulsada ( $I_{DM}$ ): Até $500\text{ mA}$
Resistência Dreno-Fonte Ligado ( $R_{DS(on)}$ ): $1.2$ a $5.0\text{ }\Omega$ (típico)
Tensão de Limiar do Gate ( $V_{GS(th)}$ ): $0.8\text{ V}$ a $3.0\text{ V}$
Potência Máxima de Dissipação ( $P_D$ ): $350\text{ mW}$
Encapsulamento: TO-92