2N7000 TRANSISTOR 2N 7000

Descrição

O 2N7000 é um transistor de efeito de campo de óxido metálico semicondutor (MOSFET) de canal N, modo enriquecimento. Diferente dos transistores bipolares que você listou anteriormente, o 2N7000 é controlado por tensão no Gate, e não por corrente. Ele é extremamente popular devido à sua alta impedância de entrada e rápida velocidade de comutação.

É amplamente utilizado para converter níveis de lógica (ex: interfacear microcontroladores com periféricos), acionar relés, LEDs de potência e em circuitos de chaveamento de baixa corrente. Por ser um componente “robusto” e de baixo custo, é um item essencial em qualquer estoque de componentes eletrônicos.

Especificações Técnicas:

• Tipo: MOSFET Canal N

• Tensão Dreno-Fonte ($V_{DSS}$): $60\text{ V}$

• Tensão Gate-Fonte ($V_{GSS}$): $\pm 20\text{ V}$

• Corrente de Dreno Contínua ($I_D$): $200\text{ mA}$ (Máximo)

• Corrente de Dreno Pulsada ($I_{DM}$): Até $500\text{ mA}$

• Resistência Dreno-Fonte Ligado ($R_{DS(on)}$): $1.2$ a $5.0\text{ }\Omega$ (típico)

• Tensão de Limiar do Gate ($V_{GS(th)}$): $0.8\text{ V}$ a $3.0\text{ V}$

• Potência Máxima de Dissipação ($P_D$): $350\text{ mW}$

• Encapsulamento: TO-92