Descrição

Descrição do Produto

O 2SD2553 é um transistor NPN de silício de alta potência, especialmente desenvolvido para o estágio de deflexão horizontal em displays de alta resolução. Sua principal característica é a combinação de uma altíssima tensão de ruptura (1500V) com um tempo de comutação muito rápido, o que minimiza as perdas de energia e o aquecimento. Construído em encapsulamento TO-3PF, ele oferece uma área de dissipação ampla e isolamento plástico, garantindo segurança e performance em circuitos de alta tensão.

Especificações Técnicas

Tipo de Transistor: NPN (Silício)
Encapsulamento: TO-3PF (Isolado)
Tensão Máxima Coletor-Base ( $V_{CBO}$ ): 1500V
Tensão Máxima Coletor-Emissor ( $V_{CEO}$ ): 600V
Tensão Máxima Emissor-Base ( $V_{EBO}$ ): 5V
Corrente Contínua de Coletor ( $I_C$ ): 8A
Corrente de Coletor Pulsada ( $I_{CP}$ ): 16A
Dissipação de Potência Total ( $P_C$ ): 50W (com dissipador a $T_c = 25°C$ )
Ganho de Corrente DC ( $h_{FE}$ ): 8 a 25
Tensão de Saturação Coletor-Emissor ( $V_{CE(sat)}$ ): 5.0V (máx) em $I_C = 5A$
Frequência de Transição ( $f_T$ ): 3 MHz (Típica)
Tempo de Queda ( $t_f$ ): 0.2 µs (Típico) – Chaveamento ultrarrápido
Temperatura de Operação: Até 150°C