2SD2553 TRANSISTOR 2SD 2553

Descrição

Descrição do Produto

O 2SD2553 é um transistor NPN de silício de alta potência, especialmente desenvolvido para o estágio de deflexão horizontal em displays de alta resolução. Sua principal característica é a combinação de uma altíssima tensão de ruptura (1500V) com um tempo de comutação muito rápido, o que minimiza as perdas de energia e o aquecimento. Construído em encapsulamento TO-3PF, ele oferece uma área de dissipação ampla e isolamento plástico, garantindo segurança e performance em circuitos de alta tensão.

Especificações Técnicas

• Tipo de Transistor: NPN (Silício)

• Encapsulamento: TO-3PF (Isolado)

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 1500V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 600V

• Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): 5V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): 8A

• Corrente de Coletor Pulsada ($I_{CP}$): 16A

• Dissipação de Potência Total ($P_C$): 50W (com dissipador a $T_c = 25°C$)

• Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): 8 a 25

• Tensão de Saturação Coletor-Emissor ($V_{CE(sat)}$): 5.0V (máx) em $I_C = 5A$

• Frequência de Transição ($f_T$): 3 MHz (Típica)

• Tempo de Queda ($t_f$): 0.2 µs (Típico) – Chaveamento ultrarrápido

• Temperatura de Operação: Até 150°C