2SD313 TRANSISTOR 2SD 313

Descrição

Descrição

Transistor 2SD313, tipo NPN, de silício, desenvolvido para aplicações de amplificação e chaveamento, especialmente em estágios de saída de amplificadores de áudio de 15 W a 25 W. Possui encapsulamento TO-220C e é complementar ao transistor 2SB507.

Especificação técnica

• Código: 2SD313
• Tipo: NPN – transistor bipolar de potência
• Material: Silício
• Encapsulamento: TO-220C / TO-220
• Tensão coletor-emissor (VCEO): 60 V
• Tensão coletor-base (VCBO): 60 V
• Tensão emissor-base (VEBO): 5 V
• Corrente máxima do coletor (IC): 3 A
• Corrente de pico do coletor (ICM): 8 A
• Dissipação de potência: até 30 W
• Temperatura máxima da junção: 150 °C
• Ganho de corrente (hFE): 40 a 320
• Tensão de saturação (VCE(sat)): máx. 1,0 V
• Frequência de transição (fT): aproximadamente 8 MHz
• Pinagem: 1 = Base, 2 = Coletor, 3 = Emissor
• Aplicação: amplificadores de áudio, estágios de saída e circuitos de chaveamento.