2N5551 TRANSISTOR 2N 5551

Descrição

O 2N5551 é um transistor de silício do tipo NPN, projetado especificamente para aplicações que operam com altas tensões e exigem baixo sinal. Ele é amplamente utilizado em circuitos de amplificação de vídeo, estágios de entrada de amplificadores de áudio de alta potência e em fontes de alimentação chaveadas onde a tensão de barramento excede a capacidade de transistores comuns.

Este modelo é o par complementar do 2N5401 (PNP). Por suportar uma tensão coletor-emissor de até 160V, ele oferece uma excelente margem de segurança e confiabilidade em projetos que lidam com picos de tensão ou trilhas de alimentação elevadas, mantendo um formato compacto e de baixo custo.

Especificações Técnicas:

• Polaridade: NPN

• Tensão Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): $160\text{ V}$

• Tensão Coletor-Base ($V_{CBO}$): $180\text{ V}$

• Tensão Emissor-Base ($V_{EBO}$): $6.0\text{ V}$

• Corrente de Coletor Contínua ($I_C$): $600\text{ mA}$ (Máximo)

• Ganho de Corrente ($h_{FE}$): $80$ a $250$ (em $I_C = 10\text{ mA}$)

• Frequência de Transição ($f_T$): $100$ a $300\text{ MHz}$

• Potência Máxima de Dissipação ($P_D$): $625\text{ mW}$

• Encapsulamento: TO-92