2N6650 TRANSISTOR 2N 6650

Descrição

O 2N6650 é um transistor de silício do tipo NPN, projetado para aplicações que exigem alta tensão e chaveamento de potência. Ele é comumente aplicado em fontes de alimentação chaveadas (SMPS), inversores, circuitos de deflexão e em estágios de saída onde a robustez contra altas tensões de operação é um requisito crítico.

Este componente é valorizado por sua capacidade de operar em ambientes industriais e circuitos de controle de potência que lidam com cargas indutivas. O encapsulamento TO-3 (metálico) garante uma excelente dissipação térmica, permitindo que o transistor opere em níveis elevados de potência sem comprometer a estabilidade, desde que montado em um dissipador de calor adequado.

Especificações Técnicas:

• Polaridade: NPN

• Tensão Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): $400\text{ V}$

• Tensão Coletor-Base ($V_{CBO}$): $600\text{ V}$

• Tensão Emissor-Base ($V_{EBO}$): $8.0\text{ V}$

• Corrente de Coletor Contínua ($I_C$): $15\text{ A}$ (Máximo)

• Corrente de Coletor de Pico ($I_{CP}$): $30\text{ A}$

• Ganho de Corrente ($h_{FE}$): $10$ a $40$ (dependendo da corrente de coletor)

• Frequência de Transição ($f_T$): $10\text{ MHz}$ (Mínimo)

• Potência Máxima de Dissipação ($P_D$): $175\text{ W}$ (em $T_C = 25\text{°C}$)

• Encapsulamento: TO-3 (Metálico)