2SB1626 TRANSISTOR 2SB 1626

Descrição

O 2SB1626 é um transistor de silício de polaridade PNP com configuração Darlington, projetado para aplicações de alta potência e amplificação de áudio profissional. Por ser um par Darlington, ele possui dois transistores integrados em um único invólucro, o que resulta em um ganho de corrente massivo, permitindo o controle de altas cargas com uma corrente de entrada mínima.

Descrição do Produto

Este transistor é amplamente utilizado em estágios de saída de amplificadores de som de alta fidelidade e drivers de potência industriais. Ele utiliza o encapsulamento TO-3P (ou MT-100), ideal para suportar altas temperaturas e garantir estabilidade térmica através de um dissipador de calor. O 2SB1626 conta com diodo de proteção e resistores internos integrados, o que simplifica o design do circuito e aumenta a segurança contra picos de tensão. É o par complementar perfeito para o transistor NPN 2SD2497.

Especificação Técnica

• Polaridade: PNP (Configuração Darlington)

• Encapsulamento: TO-3P / MT-100

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): -110V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): -110V

• Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): -5V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): -6.0A

• Corrente de Pico de Coletor ($I_{CP}$): -10.0A

• Dissipação de Potência ($P_C$): 60W (com dissipador a $T_c = 25°C$)

• Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): 5.000 a 30.000 (Altíssimo ganho)

• Frequência de Transição ($f_T$): 60 MHz (Típico)

• Tensão de Saturação Coletor-Emissor ($V_{CE(sat)}$): -2.5V (Máximo a 5A)

• Temperatura de Operação: -55°C a +150°C

• Pinagem (Vista Frontal): 1. Base, 2. Coletor, 3. Emissor