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O 2SB605 é um transistor de silício de polaridade PNP, projetado principalmente para aplicações de amplificação de áudio de baixa frequência e circuitos de chaveamento. Ele é um componente clássico, frequentemente encontrado em equipamentos eletrônicos vintage, rádios e estágios de pré-amplificação onde se exige uma operação estável em tensões moderadas. Descrição do Produto Este transistor…
O 2SB605 é um transistor de silício de polaridade PNP, projetado principalmente para aplicações de amplificação de áudio de baixa frequência e circuitos de chaveamento. Ele é um componente clássico, frequentemente encontrado em equipamentos eletrônicos vintage, rádios e estágios de pré-amplificação onde se exige uma operação estável em tensões moderadas.
Este transistor utiliza o encapsulamento TO-92, o formato mais comum para transistores de pequena potência. O 2SB605 é valorizado por sua confiabilidade em circuitos de sinal e como driver de baixa potência. Embora seja um componente mais antigo, ele ainda é procurado para a manutenção de aparelhos de som e projetos que requerem as características específicas de ganho e impedância que ele oferece.
Polaridade: PNP
Encapsulamento: TO-92
Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): -50V
Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): -50V
Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): -5V
Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): -700mA (0.7A)
Dissipação de Potência ($P_C$): 750mW (0.75W)
Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): 40 a 400 (Dependendo da classificação de ganho)
Frequência de Transição ($f_T$): 100 MHz (Mínimo)
Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
Pinagem (Vista Frontal – Face Plana): 1. Emissor, 2. Coletor, 3. Base
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