2SC1972 TRANSISTOR 2SC 1972

Descrição

O 2SC1972 é um transistor de silício NPN epitaxial, projetado especificamente para aplicações de amplificação de potência em Radiofrequência (RF). Ele é altamente reconhecido por sua performance em transmissores de rádio móveis operando na faixa de 27 MHz (Faixa do Cidadão/PX) e outras aplicações de VHF.

Descrição do Produto

Este transistor de potência de RF é construído para oferecer alto ganho e eficiência em transmissões de Classe AB ou Classe C. Diferente dos transistores de uso geral, o 2SC1972 possui um encapsulamento TO-220, o que permite sua fixação direta em dissipadores de calor, essencial para manter a estabilidade térmica durante transmissões prolongadas. É a peça de reposição ideal para estágios de saída de potência em rádios PX e transceptores de VHF.

Especificação Técnica

• Polaridade: NPN

• Encapsulamento: TO-220

• Aplicação: Amplificador de Potência de RF (Frequências de até 175 MHz)

• Potência de Saída ($P_{out}$): 14W (Típica em 27 MHz com $V_{CC}$ = 13.5V)

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 35V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 17V

• Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): 4V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): 3.5A (3500mA)

• Dissipação de Potência ($P_C$): 25W (com $T_c = 25°C$)

• Ganho de Potência ($G_p$): > 10dB

• Eficiência de Coletor ($\eta_c$): Superior a 60%

• Temperatura de Operação: -55°C a +150°C

• Pinagem (Vista Frontal – Face Plana): 1. Base, 2. Emissor, 3. Coletor