2SD1933 TRANSISTOR 2SD 1933

Descrição

Descrição do Produto

O 2SD1933 é um transistor NPN com estrutura Darlington, projetado para aplicações de alta potência e alto ganho. Devido à sua configuração interna, ele permite o acionamento de correntes elevadas com uma corrente de base mínima, sendo a solução perfeita para interfaces com microcontroladores, drivers de motores, solenoides e estágios de saída de áudio robustos. Seu encapsulamento TO-220F (Full Pack) é totalmente isolado em plástico, o que dispensa o uso de isoladores de mica na maioria das montagens em dissipadores de calor.

Especificações Técnicas

• Tipo de Transistor: NPN Darlington (Silício)

• Encapsulamento: TO-220F (Isolado)

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 100V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 80V

• Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): 7V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): 4A

• Corrente de Coletor Pulsada ($I_{CP}$): 8A

• Dissipação de Potência Total ($P_C$): 30W (com dissipador a $T_c = 25°C$)

• Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): 1000 a 10000 (Altíssima sensibilidade)

• Tensão de Saturação Coletor-Emissor ($V_{CE(sat)}$): 1.5V (máx) em $I_C = 2A$

• Frequência de Transição ($f_T$): 20 MHz (Típica)

• Temperatura de Operação: Até 150°C