2SD2012 TRANSISTOR 2SD 2012

Descrição

Descrição do Produto

O 2SD2012 é um transistor NPN de potência projetado para uso em estágios de saída de áudio e aplicações de uso geral. Fabricado com tecnologia de silício, ele oferece uma combinação equilibrada de capacidade de corrente e ganho, sendo ideal para quem busca fidelidade sonora em amplificadores ou estabilidade em fontes de alimentação. Seu encapsulamento TO-220 permite uma montagem segura em dissipadores, essencial para manter a performance em operações contínuas.

Especificações Técnicas

• Tipo de Transistor: NPN (Silício)

• Encapsulamento: TO-220

• Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 60V

• Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 60V

• Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): 7V

• Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): 3A

• Corrente de Coletor Pulsada ($I_{CP}$): 5A

• Dissipação de Potência Total ($P_C$): 25W (com dissipador a $T_c = 25°C$)

• Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): 100 a 320

• Frequência de Transição ($f_T$): 3 MHz (Típica)

• Tensão de Saturação Coletor-Emissor ($V_{CE(sat)}$): 1.0V (máx) em $I_C = 2A$

• Temperatura de Operação (Junção): Até 150°C