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Descrição do Produto O 2SD2580 é um transistor NPN de silício de alta voltagem, desenvolvido especificamente para o estágio de saída horizontal em televisores e monitores de alta resolução. Ele combina uma capacidade de corrente robusta (10A) com uma excepcional resistência a tensões de pico (até 1500V). Graças ao seu tempo de chaveamento ultraveloz, este…
O 2SD2580 é um transistor NPN de silício de alta voltagem, desenvolvido especificamente para o estágio de saída horizontal em televisores e monitores de alta resolução. Ele combina uma capacidade de corrente robusta (10A) com uma excepcional resistência a tensões de pico (até 1500V). Graças ao seu tempo de chaveamento ultraveloz, este componente garante eficiência máxima e mínima dissipação de calor em circuitos de deflexão. O encapsulamento TO-3PF proporciona o isolamento necessário para operações seguras em altas tensões.
Tipo de Transistor: NPN (Silício)
Encapsulamento: TO-3PF (Isolado)
Tensão Máxima Coletor-Base ($V_{CBO}$): 1500V
Tensão Máxima Coletor-Emissor ($V_{CEO}$): 800V
Tensão Máxima Emissor-Base ($V_{EBO}$): 6V
Corrente Contínua de Coletor ($I_C$): 10A
Corrente de Coletor Pulsada ($I_{CP}$): 20A
Dissipação de Potência Total ($P_C$): 70W (com dissipador a $T_c = 25°C$)
Ganho de Corrente DC ($h_{FE}$): 10 a 30
Tensão de Saturação Coletor-Emissor ($V_{CE(sat)}$): 3.0V (máx) em $I_C = 8A$
Frequência de Transição ($f_T$): 3 MHz (Típica)
Tempo de Queda ($t_f$): 0.2 µs (Chaveamento de alta velocidade)
Temperatura de Operação: Até 150°C
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