H12N60FI TRANSISTOR H12N60FI ISOLADO

Descrição

O H12N60FI é um MOSFET de potência de canal N de alta tensão, projetado especificamente para aplicações que exigem robustez e isolamento elétrico. Por possuir o encapsulamento Full-Pak (ISO), ele permite a montagem direta em dissipadores de calor sem a necessidade de isoladores externos (micas ou buchas), facilitando o processo de montagem e aumentando a segurança do circuito.

Especificações Técnicas:

• Tipo: MOSFET Canal N (Isolado)

• Tensão Máxima Dreno-Fonte ($V_{DSS}$): $600\text{ V}$

• Corrente de Dreno Contínua ($I_D$): $12\text{ A}$ (a 25°C)

• Resistência no Estado Ligado ($R_{DS(on)}$): $0.65\text{ }\Omega$ (típico)

• Dissipação de Potência Máxima ($P_D$): $40\text{ W}$ (em encapsulamento isolado)

• Encapsulamento: TO-220F (Full-Pak)