IRF1010 TRANSISTOR IRF1010

Descrição

O IRF1010 (frequentemente encontrado como IRF1010E ou IRFB1010) é um MOSFET de potência de Canal N de alto desempenho, utilizando a tecnologia HEXFET® de quinta geração. Este componente é projetado para oferecer uma resistência no estado ligado ($R_{DS(on)}$) extremamente baixa e uma robustez superior, sendo amplamente aplicado em conversores DC-DC de alta eficiência, inversores de tensão e sistemas de controle de carga de baterias.

Especificações Técnicas:

• Tipo: MOSFET Canal N

• Tensão Máxima Dreno-Fonte ($V_{DSS}$): $60\text{ V}$

• Corrente de Dreno Contínua ($I_D$): $84\text{ A}$ (a 25°C – limitado pelo encapsulamento a $75\text{ A}$ em alguns modelos)

• Resistência no Estado Ligado ($R_{DS(on)}$): $12\text{ m}\Omega$ (máximo)

• Dissipação de Potência Máxima ($P_D$): $170\text{ W}$

• Encapsulamento: TO-220AB