IRF5210 TRANSISTOR IRF 5210

Descrição

O IRF5210 é um MOSFET de potência de Canal P (P-Channel) de alta performance, ideal para aplicações que exigem comutação no lado positivo da carga (high-side switching). Ele é reconhecido por sua resistência extremamente baixa no estado ligado ($R_{DS(on)}$) e alta capacidade de corrente, sendo amplamente utilizado em sistemas de gerenciamento de bateria, controle de motores e proteção contra inversão de polaridade.

Especificações Técnicas:

• Tipo: MOSFET Canal P

• Tensão Máxima Dreno-Fonte ($V_{DSS}$): $-100\text{ V}$

• Corrente de Dreno Contínua ($I_D$): $-40\text{ A}$ (a 25°C)

• Resistência no Estado Ligado ($R_{DS(on)}$): $60\text{ m}\Omega$

• Dissipação de Potência Máxima ($P_D$): $200\text{ W}$

• Encapsulamento: TO-220AB