IRF840 TRANSISTOR IRF 840

Descrição

O IRF840 é um MOSFET de potência de Canal N de alta tensão, projetado para aplicações que exigem comutação rápida e eficiência em níveis de tensão elevados. Utilizando a tecnologia HEXFET®, este componente é amplamente utilizado em fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores DC-DC de alta tensão, reatores eletrônicos de iluminação e circuitos de controle de motores industriais.

Especificações Técnicas:

• Tipo: MOSFET Canal N

• Tensão Máxima Dreno-Fonte ($V_{DSS}$): $500\text{ V}$

• Corrente de Dreno Contínua ($I_D$): $8.0\text{ A}$ (a 25°C)

• Resistência no Estado Ligado ($R_{DS(on)}$): $0.85\text{ }\Omega$ (máximo)

• Dissipação de Potência Máxima ($P_D$): $125\text{ W}$

• Encapsulamento: TO-220AB