IRFBC40 TRANSISTOR IRFBC40

Descrição

O IRFBC40 é um MOSFET de potência de Canal N de alta tensão, projetado para suportar tensões de dreno-fonte de até $600\text{ V}$. Devido à sua robustez e tecnologia HEXFET®, ele é uma escolha comum para aplicações de comutação em rede elétrica (110V/220V), como fontes chaveadas (SMPS), conversores de energia, controles de motores e balastros eletrônicos.

Especificações Técnicas:

• Tipo: MOSFET Canal N

• Tensão Máxima Dreno-Fonte ($V_{DSS}$): $600\text{ V}$

• Corrente de Dreno Contínua ($I_D$): $6.2\text{ A}$ (a 25°C)

• Resistência no Estado Ligado ($R_{DS(on)}$): $1.2\text{ }\Omega$ (máximo)

• Dissipação de Potência Máxima ($P_D$): $125\text{ W}$

• Encapsulamento: TO-220AB